特色
高度均勻的光源
從 UV 到 SWIR 的寬光譜范圍
超過 50mm x 50mm 區(qū)域的高度均勻性超過 98%
超穩(wěn)定光強度,可維持不穩(wěn)定性 < 0.2% 長達(dá)10小時以上
高光強動態(tài)范圍,高達(dá) 140dB
可編程自動探測器
寬溫低噪音卡盤
系統(tǒng)設(shè)計
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 測試儀(晶圓級)系統(tǒng)圖。高度均勻的光源由 PC-1 控制。光輸出由光纖引導(dǎo)到光學(xué)均化器以產(chǎn)生均勻的光束。顯微鏡和均質(zhì)器由 PC-1 的自動平移臺控制,以切換位置和功能。Prober 系統(tǒng)為 MPI TS2000,由 PC-2 控制。卡盤臺的位置也由 PC-2 控制。熱卡盤溫度可控制在 -55 ℃ 至180 ℃ ,涵蓋了大部分 IC 測試溫度范圍。光強度由一個 Si 光電探測器和一個 InGaAs 光電探測器通過皮安電流表檢測和校準(zhǔn)。
規(guī)格
SG-O 為您在 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試中需要的所有內(nèi)容提供完整的規(guī)范。以下是主要組件及其詳細(xì)信息。如果您需要更多詳細(xì)信息,請隨時與我們聯(lián)系!
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高度均勻的光源
光譜范圍:400nm 至 1700nm
色溫:3000K 至 5200K
均勻照明面積:42mm x 25mm,工作距離 >200mm
照度均勻度:優(yōu)于98%
短期光不穩(wěn)定性:≤ 1% 超過 1 小時
長期光不穩(wěn)定性:≤ 1% 超過 10 小時
DUT與zui后一個光學(xué)組件之間的工作距離:≥200mm工作距離
單色光生成:
10nm FWHM 中心波長:420nm, 450nm, 490nm, 510nm, 550nm, 570nm, 620nm, 670nm, 680nm, 710nm, 780nm, 870nm
25nm FWHM 中心波長:1010nm, 1250nm, 1450nm
45±5nm FWHM 中心波長: 815nm
50nm FWHM 的中心波長:1600nm
60±5nm FWHM 中心波長:650nm
70±5nm FWHM 的中心波長:485nm, 555nm
100±5nm FWHM 的中心波長:1600nm
半自動晶圓探針
晶圓尺寸能力:200mm、150mm、100mm 晶圓和尺寸大于 1cm x 1cm 的單芯片
晶圓處理:單晶圓,手動進(jìn)料型
半自動化:一步手動對準(zhǔn)教和自動模步進(jìn)
XYZ 平臺
卡盤 XY 載物臺行程:210mm x 300mm
卡盤 XY 平臺分辨率:優(yōu)于 0.5um
夾頭 XY 平臺精度:優(yōu)于 2.0um
卡盤 XY 平臺速度:最慢:10 微米/秒,zui快:50 毫米/秒
Chuck Z 載物臺行程:50mm
Chuck Z 平臺分辨率:0.2um
卡盤 Z 平臺精度:±2.0um
Theta 平臺
Theta 載物臺行程:± 5 度運動范圍
Theta 分辨率:優(yōu)于 0.01 度
Theta 精度:0.1 度
卡盤
卡盤平整度 ≤ 10um
卡盤熱操作:-60°C 至 200°C
25°C 時的卡盤泄漏: 25°C 時在 10V 偏壓下每個電壓 ≤ 20fA
卡盤剩余電容 ≤ 95fF
探針卡
探針卡尺寸:4.5 英寸至 8 英寸長
探針卡座與壓板之間的間隙:≥ 7.5mm
微型腔室
EMI 屏蔽:在 1kHz 至 1MHz 范圍內(nèi) ≥ 30dB
系統(tǒng)交流噪聲:≤ 5mVp -p
微型定位器
顯微鏡
隔振臺
光譜輻照度計
更多規(guī)格
SG-O 集成了 Enlitech 的高級光模擬器技術(shù)和 MPI 自動探針系統(tǒng)。Enlitech 提供多種光學(xué)選項以滿足用戶對 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試的要求,包括波長范圍、光強度和均勻光束尺寸。我們擁有數(shù)十年的經(jīng)驗,可以幫助客戶解決 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試和設(shè)計變化的挑戰(zhàn)。請隨時與我們聯(lián)系以獲取更多詳細(xì)信息。我們的專業(yè)團隊將為您提供幫助!
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主要表現(xiàn)
SG-O 系統(tǒng)的操作軟件。對于高度均勻光源控制軟件,SG-O 提供光源系統(tǒng)控制和光強測量。提供了各個光學(xué)組件的 Labview 功能調(diào)色板、驅(qū)動程序 / DLL 文件。該軟件控制所述平移臺以促進(jìn)照射大是在零件的設(shè)備。集成鏈接的整合包括發(fā)送 / 接收命令,例如芯片步進(jìn)、芯片對齊 / 探測等。
來自 SG-O 顯微鏡系統(tǒng)的 CIS / ALS / 光傳感器芯片圖像
CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓的探針卡安裝圖
用于 CIS / ALS / 光傳感器晶圓檢測的探針頭圖像
SG-O CIS 晶圓級測試儀的光均化器
SG-O CIS 晶圓級測試儀光均化器的光學(xué)模擬和性能
光束均勻度,在 420nm 下用 42mm x 25mm 測試光束點均勻性,不均勻度為 1% 圖示
光束均勻度,束斑尺寸為 50mm x 50mm,不均勻性為 1.43% 圖示
不同波長的單色光強度,從紫外到近紅外;光強度由Si輻照度計測量,光強度范圍能夠用于各種 CIS / ALS / 光傳感器測試圖示
從 NIR 到 SWIR 不同波長的單色光強度,光強度由 InGaAs 輻照度計測量圖示
SG-O 的高度均勻光源具有一個超穩(wěn)定的光引擎,在整個波長范圍內(nèi),短期或長期的光強不穩(wěn)定性均優(yōu)于 0.2%。
圖示在 420nm 單色光輸出下測試光強度短期不穩(wěn)定性,光不穩(wěn)定性由 Si 輻照度計監(jiān)測 60 分鐘,1 小時的不穩(wěn)定性為 0.12%
圖示在 1250nm 單色光輸出下測試光強短期不穩(wěn)定性, 光不穩(wěn)定性由 SInGaAs 輻照度計監(jiān)測 60 分鐘,1 小時的不穩(wěn)定性為 0.09%
在 420nm 單色光輸出下測試光強度短期不穩(wěn)定性,光不穩(wěn)定性由 Si 輻照度計監(jiān)測 10 小時,10 小時的不穩(wěn)定性為 0.1% 圖示
在 1250nm 單色光輸出下測試光強短期不穩(wěn)定性,光不穩(wěn)定性由 SInGaAs 輻照度計監(jiān)測 10 小時,10 小時不穩(wěn)定性為 0.06% 圖示
圖示為 SG-O 系統(tǒng)的光強衰減器,光輸出強度可以通過 PC 至少 1000 步分辨率來控制
自動探測器的情況說明書,SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀集成了 MPI 探針,更多細(xì)節(jié)可以在 MPI 的網(wǎng)站上找到
數(shù)據(jù)源: MPI
SG-O 探針系統(tǒng)中內(nèi)置了自動單芯片裝載機。便于CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓裝載。裝載和卸除晶圓對用戶來說是直接和直觀的。上料室前部還集成了溫度控制面板,方便操作。
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀還具有手動加載功能,可以從前門手動加載晶圓。該前門具有安全管理功能,可自動監(jiān)測卡盤溫度并防止在測試過程中打開門,以保護 CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓和用戶的安全。
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀的熱卡盤由 ERS 最小化的 CDA 系統(tǒng)控制溫度,比以前效率更高。溫度范圍可覆蓋 -80°C 至 180°C(取決于 ERA’a型號)。通過使用單獨的閥門可以進(jìn)行氮氣吹掃。對于 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試,目標(biāo)溫度上升速率和穩(wěn)定性非常出色,可在任何
條件下(例如空間)進(jìn)行。
探針卡尺寸能力可以從 4.5 英寸到 8 英寸長,如圖所示 DUT 與 SG-O 高均勻光源zui后一個光學(xué)組件的工作距離超過 200mm
探針卡尺寸能力可以從 4.5 英寸到 8 英寸長,如圖所示 DUT 與 SG-O 高均勻光源xui后一個光學(xué)組件的工作距離超過 200mm