單晶x射線衍射儀主要用于測(cè)定無機(jī)物、有機(jī)物和金屬配合物等結(jié)晶物質(zhì)的三維空間結(jié)構(gòu)和電子云密度，分析孿晶、無公度晶體、準(zhǔn)晶等特殊材料結(jié)構(gòu)。

單晶x射線衍射儀儀器特點(diǎn)：

整機(jī)采用可編程序控制器PLC控制技術(shù)；    

操作方便，一鍵式采集系統(tǒng)；

模塊化設(shè)計(jì)，配件即插即用，無需校準(zhǔn)；

觸摸屏實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，顯示儀器狀態(tài)；

高功率X射線發(fā)生器，性能穩(wěn)定可靠；

電子鉛門聯(lián)鎖裝置，雙重防護(hù)。

單晶x射線衍射儀儀器功能：    

TD-5000 X射線單晶衍射儀主要用于測(cè)定無機(jī)物、有機(jī)物和金屬配合物等結(jié)晶物質(zhì)的三維空間結(jié)構(gòu)和電子云密度，分析孿晶、無公度晶體、準(zhǔn)晶等特殊材料結(jié)構(gòu)。測(cè)定新化合物(晶態(tài))分子的準(zhǔn)確三維空間(包括鍵長(zhǎng)、鍵角、構(gòu)型、構(gòu)象乃至成鍵電子密度)及分子在晶格中的實(shí)際排列狀況;可以提供晶體的晶胞參數(shù)、所屬空間群、晶體分子結(jié)構(gòu)、分子間氫鍵和弱作用的信息以及分子的構(gòu)型及構(gòu)象等結(jié)構(gòu)信息。它廣泛用于化學(xué)晶體學(xué)、分子生物學(xué)、藥物學(xué)、礦物學(xué)和材料科學(xué)等方面的分析研究。

儀器精度：

2θ角重復(fù)精度：0.0001°；

ZUI小步進(jìn)角度：0.0001°；                            

溫度控制范圍：100K—300K；

控制精度：±0.3K。

測(cè)角儀：

采用四圓同心技術(shù)來保證無論發(fā)生怎么樣的轉(zhuǎn)動(dòng)均可使測(cè)角儀中心保持不變,實(shí)現(xiàn)獲得精準(zhǔn)的數(shù)據(jù)的目的,得到更高的完整率，四圓同心是常規(guī)單晶掃描的必要條件。

PILATUS混合像素探測(cè)器的設(shè)計(jì)是X射線探測(cè)器領(lǐng)域的一次革命性成果,其能夠?qū)崿F(xiàn)較好的數(shù)據(jù)質(zhì)量的同時(shí)保證低功耗和低冷卻的特點(diǎn),該探測(cè)器將單光子計(jì)數(shù)和混合像素這兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)相結(jié)合,應(yīng)用于同步輻射和常規(guī)實(shí)驗(yàn)室光源等各個(gè)領(lǐng)域,有效排除讀出噪聲和暗電流的干擾,混合像素技術(shù)可以直接探測(cè)X射線,更易分辨信號(hào),并且PILATUS探測(cè)器可以高效提供優(yōu)質(zhì)數(shù)據(jù),可以從您的較具挑戰(zhàn)性的樣品中獲得較佳數(shù)據(jù)。

PILATUS混合像素探測(cè)器：

采用PILATUS混合像素探測(cè)器能夠?qū)崿F(xiàn)較好的數(shù)據(jù)質(zhì)量的同時(shí)保證低功耗和低冷卻的特點(diǎn),該探測(cè)器將單光子計(jì)數(shù)和混合像素這兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)相結(jié)合，應(yīng)用于同步輻射和常規(guī)實(shí)驗(yàn)室光源等各個(gè)領(lǐng)域，有效排除讀出噪聲和暗電流的干擾，混合像素技術(shù)可以直接探測(cè)X射線，更易分辨信號(hào)，并且PILATUS探測(cè)器可以高效提供優(yōu)質(zhì)數(shù)據(jù)。

PILATUS面探測(cè)器特點(diǎn)（可選配）：

敏感區(qū)域 [mm2]：83.8 × 70.0

像素尺寸 [µm2]：172 × 172

像素間距：< 0.03%

zui大幀速率[Hz]：20

讀出時(shí)間[ms]:7

能量范圍[keV]:3.5 - 18

低溫設(shè)備：

通過低溫設(shè)備采集的數(shù)據(jù)結(jié)果更加理想，在低溫設(shè)備的作用下可提供更多的優(yōu)勢(shì)條件可以使不理想的晶體獲得理想的結(jié)果，也可使理想的晶體獲得更理想的結(jié)果。
溫度控制范圍:100K~300K；    控制精度:±0.3K;    液氮消耗量:1.1~2升/小時(shí)；

控制軟件及測(cè)試結(jié)果：

可選附件：

多層膜聚焦透鏡：

X射線管功率：30W或50W等；發(fā)散度：0.5~1 mrad；

X射線管靶材：Mo / Cu 靶；焦斑：0.5~2 mm。